从电源辐射源的角度谈EMI的产生

电磁干扰EMI是令众多电源设计者头疼的问题，很多新手在迈过设计方面的难题之后通常都会在EMI上碰壁。设计本身存在缺陷可能导致电磁干扰过大，但电源器件选择不当同样会造成EMI飙升。本文就将为大家讲解电源作为辐射源是如何产生EMI的。

图1 12V输入降压型开关稳压器中的典型开关节点电压尖峰和振铃

在每个开关周期里，存储在寄生电感器中的能量将和存储于寄生电容器中的能量发生共振。当能量释放时将在开关节点(VSW)上产生一个很大的电压尖峰，其最大可达输入电压的两倍，如图1所示。当MOSFET的电流能力增加时，存储在寄生电容器中的能量往往也会增加。另外，开关动作还使输入电流以及流过顶端MOSFET(ITOP)和底端MOSFET(IBOT)的电流产生脉动。此脉冲电流将在输入电源电缆和PCB板印制线(其充当了发射天线)上产生电波，从而产生辐射发射和传导发射。