IGBT在电机、光伏和汽车领域的创新技术

绝缘栅双极晶体管（IGBT）越来越多地被整合到电力系统设计中，以减少损耗并改善开关行为。IGBT技术将功率MOSFET的高速开关性能与双极晶体管的高电压/高电流处理能力相结合。通常，IGBT等效电路（图1）是MOSFET晶体管和双极晶体管的组合。
与其他类型的晶体管相比，使用IGBT的主要优点是相对快速的开关速度、较低驱动功率和由于输入MOS栅极结构而导致的简单驱动电路。由于电导率调制，它还提供非常低的导通压降，并具有优异的导通电流密度。例如，在可变频率驱动器（VFD）的情况下，IGBT将快速接通和断开电流，以便将更少的电压引导至电机，从而有助于创建脉冲宽度调制（PWM）波来控制电机的速度。
IGBT技术有多种电压等级、额定电流和拓扑结构（例如半桥、全桥）。它们可用于各种应用，尤其适用于中速和高压应用。越来越需要将电源系统尺寸和重量降至最低，这增加了IGBT模块的设计，这些IGBT模块采用了最新的IGBT技术（拓扑结构、材料等），并且还使用了功率半导体封装的最新进展。
根据Mordor Intelligence的数据，2017年IGBT市场价值45亿美元，预计到2023年将达到78亿美元，预测期间（2018-2023）的复合年增长率为9.62％。功率半导体器件（例如IGBT）不仅在可再生能源企业的发展中起主要作用，而且在EV和HEV的技术开发中起主要作用。