QI标准无线充芯片方案如何选型？
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目前市场上QI标准无线充芯片方案众多，首先我们先了解普通无线充芯片方案和QI标准无线充芯片方案的区别： 普通无线充芯片方案有称符合QI的方案和不符合两种，符合并不等于可以真正过QI。 不符合QI的有两种：一种是无协议的，但没FOD等检测功能，用一些成本1块以内的MCU完成。另一种是有协议，有FOD等检测功能但不符合QI的，这种发射和接收是配对的属于点对点。一般用于小电流的穿戴产品。 符合QI的方案：这种比较常见，市场最多。ST003、芯唐、凌通的MCU都有这种方案。这种芯片是8位单片机价格在1-2块之间，但ST003涨到了3-4元。 这里面有个概念“符合”也能做FOD、OCP(Over Current Protection)过流保护等功能。 但一般没有DPL(Dynamic PowerLimiting) 动态电源限制功能和ATB(Automatic Temperature Balance)自动温度平衡。 即便其FOD外来物体检测和PMOD增强性寄生金属检测，能放个金属片就能停止充电，但没对各种可能性条件做可靠性测试。所以不一定能过QI实验室测试。 目前做QI测试难点一般在FOD、DPL、和ATB这三项，很多都fail在这上面。 那ST003一定过不了QI认证吗? 不能绝对这样说，但由于它是8位单片机，且指令运行速度较慢。所以对软件工程师比较考验。市场上真正用它过了QI认证的比较少见。或者说如果用8位单片机去过QI需花巨大研发时间成本去验证这个可能性，所以大家都不愿去做，花半年到1年去过一款产品的QI不划算。 能过QI的方案：目前过QI认证的大约有两大阵营(注：都用32位MCU) 国外，Ti、NXP、IDT、东芝、Rohm、ST32位MCU等 国内，伏达、劲芯微、易冲、新页、凌通等 国外芯片考虑到价格和QI测试时需要服务，特别是需改软件时其国内代理一般改不了软件。不太建议采用。 国内这些品牌过QI的成功案例都不少。QI认证我们可从软件和硬件两方面来看： 即然这些公司都有过QI，说明最难的软件他们基本都已解决。除非你的功能差异大，对他们软件改动大。 硬件方面：过QI的一些温度、效率、FOD检测这些跟硬件关联比较大。所以国内这些品牌过QI认证是大都搭配TI 驱动和AO或ONSEMI的MOS，但如果PCB LAYOUT变动较大，仍然会影响较大。原因是电源部分电路复杂。 但是考虑整体方案的成本，有些品牌搭配FD2105的驱动和便宜的MOS，这使得效率下降很大，增加了过QI的难度。甚至只能达到符合Qi方案的效果。 伏达的采用MCU 电源芯片，其10W电源芯片集成了L358 2个驱动 4个MOS，使得外围LAYOUT简单，效率和TI驱动 ONsemi MOS一样，达到83-85%。这大大方便了工程师设计和易过QI，市场有较多方案公司采用。 市面上传统无线充电方案采用的是变频架构，无法实现苹果手机的无线快充功能。苹果7.5W快充必须是定频架构才能实现，定频有调相、调压、调占空比三种模式。 调相方式需要一个大电感，是LCL方式，电感牺牲能量，效率低，而且声音比较大;调压的方式可以让占空比恒定为50%，这时对手机的干扰最小。所谓占空比，就是对半桥而言，一个周期中上管开的时间占整个周期的比例。因为是全桥，所以50%占空比意味着是传输能量最大;调占空比的方式，因为占空比不是50%，而是变化的，瞬态比较差。 市面上的最近出现的定频调占空比7.5W方案，也不失为一种中国式创新，该方案胜在高性价比，一定程度上也能让用户用较低的价格享受快充的体验，但无法做到对手机零干扰，可能会出现掉线等情况的发生，而且由于不符合MFi规范，非Qi指定，存在一定的风险。更重要的是，它也无法满足苹果手机未来提出更严格的快充要求。 |
