驱动参数对 IGBT 开关性能的影响

如今，IGBT 已被广泛应用于工业电源领域。与 MOSFET 相同，它也是一种压控型器件。其开关性能可通过 IGBT 驱动设置加以控制或影响。优化 IGBT 开关性能对于系统设计而言十分重要，因为不同的开关损耗会影响散热设计和IGBT 使用寿命，而且如果驱动参数配置的不好会导致IGBT 超过安全工作限值，使器件失效。
IGBT 的栅极驱动电路看似很简单，就是一个电压源和一个栅极电阻。通过改变栅极电阻值，可以影响 IGBT 开关性能。但在现实系统应用中，会有许多杂散因素有意或无意地产生，比如电压支撑电容到功率放大电路之间的杂散电感（L_b）、栅极线缆电感（L_c）、芯片至辅助发射极的杂散电感（L_e）和外置栅极电容（C_ge）等等，就如图 1 所示的那样。所以实际的 IGBT 栅极回路非常复杂，仅利用一个简单的电压源及栅极电阻是无法完全说明驱动参数对IGBT开关性能的影响的。





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