KLA-Tencor为尖端集成电路器件技术推出全新量测系统

KLA-Tencor公司(纳斯达克股票代码：KLAC)今天针对10纳米以下(sub-10nm)集成电路(IC)器件的开发和批量生产推出四款创新的量测系统：Archer™600叠对量测系统，WaferSight™PWG2图案晶片几何特征测量系统，SpectraShape™ 10K光学关键尺寸(CD)量测系统和SensArray®HighTemp 4mm即時温度测量系统。 这四款新系统进一步拓宽了KLA-Tencor的独家5D图案成像控制解决方案™应用，提升了包括自对准四重曝光(SAQP)和极紫外线(EUV)光刻在内的先进图案成像技术。

“领先的器件制造商正面对着极为严苛的图案成像规格。”KLA-Tencor首席营销官Oreste Donzella指出：“为了解决图案成像的误差，芯片制造商需要量化工艺变化，区分变化产生的原因并从根源解决问题。今天发布的全新量測系统可以为客戶提供关键的数据，帮助工程师落实光刻工艺中曝光机的具体校正，以及蚀刻、薄膜和其他工艺模块中的工艺改进。 我们推出了全新的叠对量测，图案晶片几何特征，光学关键尺寸和即时温度测量等系统，这对于推动193i多重曝光性能和早期EUV光刻基准数据收集等方面都极为关键。”

Archer 600采用全新光学系统和新型测量图形，延伸基于图像的叠对误差量測技术，帮助先进的逻辑电路和內存芯片制造商实现小于将3nm(sub-3nm)的叠对误差。 创新的ProAIM™图形技术可以容忍更大的工艺变化，提升量测图形反应的叠对误差与器件本身叠对误差的相关性，实现更精确的叠对误差量测。 Archer 600的新型光学技术，包括亮度更高的光源和偏振模块，能够在不同的工艺层上(从薄光阻层到不透明阻挡层)提供更精确的叠对误差反馈和控制。随着产能的提高，Archer 600可以增加叠对误差的采样，提升校准曝光机以及识别产线工艺异常的能力。 Archer 600系统已经由全球多个代工厂，逻辑电路和内存厂商安装运行，用于测量最先进的半导体器件。