FD-SOI取得重大功耗进步 格罗方德发布12纳米路线图
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作为IBM工艺阵营的正统掌门，格罗方德半导体发布全新的12nm FD-SOI半导体工艺平台12FDXTM，功耗大幅降低50%…… 格罗方德半导体发布全新的12nm FD-SOI半导体工艺平台12FDXTM，实现了业内首个多节点FD-SOI路线图，从而延续了其领先地位。新一代12FDXTM平台建立在其22FDXTM平台的成功基础之上，专为未来的移动计算、5G连接、人工智能、无人驾驶汽车等各类应用智能系统而设计。 随着数以百万计的互联设备出现，世界正在逐步融合为一体，众多新兴的应用也不断要求着半导体的进一步创新。用于实现这些应用的芯片正逐渐演进为微系统，集成包括无线连接、非易失性存储器以及电源管理等在内的越来越多的组件，这不断驱动着对超低功耗的需求。格罗方德半导体全新的12FDX工艺正是专为实现这前所未有的系统集成度、设计灵活性和功耗调节而设计。 12FDX为系统集成树立了全新标准，提供了一个将射频(RF)、模拟、嵌入式存储和高级逻辑整合到一个芯片的优化平台。此外，该工艺还通过软件控制晶体管实现按需提供峰值性能，同时平衡静态和动态功耗以取得顶级能效，实现业内最广泛的动态电压调节和无与伦比的设计灵活性。 格罗方德半导体首席执行官Sanjay Jha表示：“某些应用需要FinFET晶体管的高级性能，但大多数联网设备需要在性能和功耗之间实现更高的集成度和灵活性，同时还要求低于 FinFET的成本。格罗方德的22FDX和12FDX工艺为打造下一代智能系统提供了一条新路径，填补了行业路线图的空白。我们的FDX平台可大幅降低设计成本，重新打开了先进节点迁移的大门，并促进生态系统内的进一步创新。” 格罗方德半导体全新的12FDX工艺基于一个12nm全耗尽平面晶体管(FD-SOI)平台，能够以低于16nm FinFET的功耗和成本提供等同于10nm FinFET的性能。该平台支持全节点缩放，性能比现有FinFET工艺提升了15%，功耗降低了50%。 林利集团的创始人兼首席分析师Linley Gwennap评价说：“芯片制造已经不再是将某一个微缩工艺用于一切产品。虽然FinFET是最高性能产品的首选技术，但对于许多成本敏感型的移动和物联网产品来说，其要求以尽可能低的功耗提供仍然足够的时钟速度，行业路线图并不够清晰。格罗方德半导体的22FDX和12FDX技术定位恰到好处，填补了这一空缺，为先进节点设计提供了另一个替代迁移路径，尤其是针对那些希望降低功耗却不增加量产成本的设计。格罗方德半导体现在是22nm及以下节点 FD-SOI的唯一提供者，在业内拥有明确的差异化特征。” |
