【太实用了】电源适配器变压器计算与元器件选型、细，全！

12V1.5A方案设计芯片：......

1输入:100-264V

2输出：12V1.5A

3效率：84%(5级能效80.2%，为便于生产故选84%)

4Vcc：14V(选择VCC开启阀值)

5工作频率：60K (PFM)

这里讲下PFM PFM优点空载时处于降频模式也就降低了我们的开关损耗和导通损耗及IC负载低于一定的时候进入睡眠模式就是IC规格书中写到的静态电流稳态电流，就是说降低了IC的消耗，缺点是纹波动态响应没有PWM好

6Dmax：0.45 占空比大于0.5会带来环路不稳定的缺陷所以大家都控制在0.5以内

7ΔB:(Bs-Br)*n=ΔB=(390-55)*0.6=0.2T

Bs：390mT/100℃

Br：55mT 各家参数不同安全值取0.3Tmax

CCM连续模式，电流不为零，ΔB变小，n取60% ΔB取值个人习惯

8Vinmin、Vinmax计算：

Vinmin=Vacmin*1.2=90*1.2=108V

Vinmax=Vac*1.414=374V

9磁芯选择：

AP=【(Po/η Po)*10000】/(2*ΔB*ƒ*J*Ku)

=【(18/0.84 18)*10000】/(2*0.2*60*1000*400*0.2)

=394285.7/1920000

=0.205cm4

ƒ=60*1000 (Hz)

J电流密度=400

Ku绕组系数=0.2

EF25 AP=0.2376cm4AE=51.8 mm2

设计经验：

1、Ae值小效率低温度高，磁芯面积小扇热差，罐装磁芯辐射好，长宽磁芯漏感小。

2、Ae=Po*2 本人更喜欢这个公式Ae=18*2*1.4=50.4mm2

取：EF25：AE：51.8mm2

当然以上2种都可以选择。

10Np计算：

初级匝数：

Np=VINmin*ton/ΔB/AE

Np=108*7.5/0.2/51.8

=78.18T 取整79T

11NS计算：

次级匝数：NS=(Vo Vd)*(1-Dmax)*NP/(VINmin*Dmax)

=(18 0.6)*(1-0.45)*78/(108*0.45)

=11.12T取整11T

12N计算：

匝比计算：N=Np/Ns=79/11=7.18T

13Iav计算

平均电流:Iav=Po/η/Vinmin =18/0.84/108 =0.198A

14Ipk计算：峰值电流计算

Ipk=Ipk1 Ipk2=Iav*2/Dmax =0.198*2/0.45=0.88A

15ΔI计算：

电流变化率ΔI 计算：CCM Ip2=3Ip1

DCM Ip1=0

0.88/4=IP1=0.22

0.22*3=IP2=0.66

ΔI =Ip2-Ip1

=0.66-0.22=0.44A

16电流有效值CCM：Irms==0.88*0.512=.45A

17Lp计算：

初级电感量计算：Lp=Vinmin*ton/ΔI=108*7.5/0.44=1.8mH 我们实际使用的要比计算的小一些这里算一个经验值吧再乘以0.7=1.26mH

18验证是否饱和：ΔB=Lp*Ipk/Np/Ae=1.26*0.88/79/51.8=0.27T<0.3T

19Ipks计算：

次级峰值电流：Ipks=Ipk*N=0.88*7.18=6.3A

20Irmss计算：

次级有效值计算：CCM Irms=6.3*0.566=3.57A

21Dp计算

初级线径计算：Dp=(Irms/π/J)开根号*2

=(0.45/3.14/6)开根号*2=0.3mm

J电流密度取5-7

22Ds计算：

次级线径计算：Ds= (3.75/3.14/7)开根号*2=0.82mm

绕不下的情况下降额70%=0.57

J电流密度取6-8

集肤深度：导线线径不超过集肤深度的2倍，若超过集肤深度，则需多股并绕。δ=66.1/√∫cm=66.1/244.94=0.269mm 0.269*2=0.54

多股线计算=0.7/根号股数=0.57/1.414=0.4mm*2

23Nvcc计算:

反馈绕组计算：

Va=(Vo Vd)/Ns=12.6/11=1.145V/T

Nvcc=Vcc/Va