一种碳化硅双极结型晶体管新型自适应驱动电路
时间：2022-03-14来源：佚名
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https://image1.big-bit.com/2017/0605/20170605120023702.pdf 随着宽禁带材料技术的成熟，目前市面上高电压部分的硅基电力电子器件大部分都可以用碳化硅来制造。硅基电力电子器件的电学性能已接近由硅材料特性决定的理论极限，相比硅基器件，碳化硅器件具有高阻断电压，低导通压降，关断时间短，以及耐高温等一系列优势，极大拓宽了电力电子器件的应用场合。在碳化硅器件中，碳化硅双极结型晶体管(SiC BJT)更具有独特的优势，如和碳化硅 MOSFET 相近的关断时间，而且无需复杂的栅氧工艺；在商业应用中，相比常开型器件碳化硅 JFET，常关型的 SiC BJT 应用范围更为广泛。SiC BJT 在过去的十多年被国外多个研究机构和公司高度重视。 附件：一种碳化硅双极结型晶体管新型自适应驱动电路（下载） |
