大联大品佳集团力推英飞凌高效UPS解决方案
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2016年11月24日，致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布，其旗下品佳推出英飞凌(Infineon)最新的650V TRENCHSTOP™ 5 IGBT，对传统技术的一次突破，重新界定IGBT同级最佳效能。 该款器件采用TRENCHSTOP™ 5技术的新一代薄晶圆IGBT(绝缘栅双极晶体管)，与当前领先的解决方案相比，该产品大大降低了导通和开关损耗，提高系统效率及功率密度并降低系统成本。凭借这一重大突破，英飞凌在IGBT性能方面设定了新基准，并继续在要求持续提升效率的市场占据领先位置。 由于击穿电压增加到650V，该全新技术为设计带来了更高的安全裕度。目标应用为不间断电源(UPS)、光伏逆变器、和逆变焊机等应用中常见的升压PFC(AC/DC)级和高压DC/DC拓扑。 TRENCHSTOP™ 5为两个产品系列奠定了基础。HighSpeed 5(H5)是易用型软开关高速IGBT，用于即插即用取代现有的IGBT，因为其可轻松融入产品设计之中。H ighSpeed 5 FAST(F5)是迄今为止最高效的IGBT，譬如，采用“H4 bridge”拓扑的UPS逆变器的系统效率达到了98%以上。 TRENCHSTOP™ 5在IGBT性能方面带来了飞跃，以更高的系统效率和更高的击穿电压，提升了可靠性。这会导致整个平台的系统成本降低。对于那些要求在一个解决方案中具备所有这些特性的客户而言，TRENCHSTOP™ 5是最佳选择。全新的TRENCHSTOP™ 5技术为UPS应用带来了巨大益处。与当今最好的来自英飞凌的HighSpeed(H3)相比，传导损耗降低了超过10%，总开关损耗降低了超过60%。效率的大幅度提升使得可实现更低的工作结温，确保更高的寿命周期可靠性，或实现更高功率密度的设计。譬如，应用测试已经证明采用TO-220封装的TRENCHSTOP™ 5比采用TO-247封装的H3的外壳温度低15%。 图示1-大联大品佳推出的英飞凌TRENCHSTOP™ 5效率测量：3 KVA H4逆变器, 20 kHz开关频率 其他重大改进包括饱和电压(Vce(sat))正温度系数和关断开关损耗(Eoff)，确保性能在高温操作期间不降低，并可直接进行并联。与H3相比降低60%的栅电荷(Qg)使得IGBT能以更低成本进行更轻松驱动。此外，TRENCHSTOP™ 5具有快速恢复续流二极管的温度稳定正向压降(VF)，且反向恢复时间(Trr)不到50ns。低输出电容(Coss和Eoss)带来了杰出的轻载效率，是工作范围主要在最大额定值40%以下的设计的理想之选。 图示2-大联大品佳推出的英飞凌TRENCHSTOP™ 5 V.S High Speed 3 F5 SiC Diode系统最高效率突破98%，而使用H5 FRD 效率相比于H3，全功率段效率提升0.2%以上;或者在维持原先的效率的基础上提高开关频率，减小电感等磁性组件尺寸，从而降低系统成本。 |
