Vishay宣布升级模拟开关产品的制造工艺 显著提高器件的性能和寿命
时间：2022-03-14作者：佚名
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2016 年 9 月2 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，将多个VishaySiliconix模拟开关产品升级到了新工艺，大幅提升了器件性能和寿命。这种新工艺能够替代渐趋过时的硅技术，全面提高器件的性能参数，并且保证未来有很好的使用寿命。Vishay的模拟开关和复用器产品线始于二十世纪60年代，这次工艺升级表明Vishay将继续支持这些产品。 VishaySiliconix新发布的增强型模拟开关和复用器在高密度18V工艺上进行设计。这种工艺不但能让使用Vishay现有的12V系列产品的客户顺利过渡到新产品，而且使Vishay开发出更复杂，用于灵敏的模拟设计的新型精密模拟产品。 器件性能指标的重要改进包括：工作电压从12V提高到16V;更低的泄漏，减少了寄生电容，开关速度更快;更加耐用，具有更高的闩锁电流和ESD保护。例如，新的DG9408E和DG9409E可以直接替换常用的DG9408和DG9409，开关导通电阻比后者低20%，开关速度高10%，寄生电容低35%，闩锁能力高达400A，保证实现2.5kV(人体模型)的ESD保护。 下表是升级到增强版本的12V器件家族。 旧产品编号新产品编号 DG408L, DG409LDG408LE, DG409LE DG411L, DG412L, DG413LDG411LE, DG412LE, DG413LE |
