高饱和磁通密度NiZn铁氧体材料TN35B

NiZn软磁铁氧体材料具有高电阻率(ρ)、高使用频频率等特点，其制成的功率电感广泛应用在各类电子产品的DC-DC转换器中。随着电子产品的轻、薄、短、小发展趋势，对应DC-DC转换器的功率电感也需要更小、更薄，另外越来越高的转换频率，又要求越来越高的额定电流^[1]，从而对于功率电感的直流偏置特性提出了更高的要求。目前多采用磁心开气隙的方法，提高其直流偏置特性，但容易漏磁，增大了磁损失，降低了效率。提高NiZn铁氧体材料饱和磁通密度水平是另一种提升直流偏置特性的有效途径，而且避免了漏磁，所以开发高饱和磁通密度NiZn材料十分必要^[2]。
本实验通过氧化物法制备了高饱和磁通密度NiZn铁氧体材料TN35B，研究分析了该材料的微观结构、电磁性能及该材料制成功率电感用DRC型磁心的直流偏置特性，并与NiZn常规材料进行了对比。