高耐压、低损耗SiC混合模块的开发

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近年来，为防止地球环境的升温，到目前为止，一直都在要求削减CO₂等温室效应气体。作为削减方式之一是广泛利用电力电子（PE）设备的节能化，其中重要的一项是组成逆变器的功率器件，通过电路、控制等的技术革新，使得逆变器的高效率化。典型的IGBT模块就是迫切要求低损耗的功率器件，但迄今一直采用Si的IGBT芯片和续流二极管芯片，而Si器件的性能正接近基本物理性能的理论极限。因此，具有超越Si极限的耐热性和高的击穿电场强度的SiC器件，真正可望实现装置的高效率化和小型化。