锐骏半导体推出MOSFET封装新工艺

著名的电源半导体技术公司 深圳市锐骏半导体有限公司 最新推出一款MOS封装新工艺。这款TO220-S封装广泛的适用于MOSFET、高压整流器及肖特基等功率器件。

通常TO220封装有全塑封和半包金属封装两个规格。

金属封装有一片裸露的金属基导框架外漏，可以方便器件固定，扩大连接散热器，金属基导本身也是散热器，在热量不是很高的情况下使用。封装能大幅提升电源有效散热效率，针对发热严重或者对散热要求更高的电路，扩展散热器面积很有效。缺点是散热片与器件漏极相连，与其它器件触碰时需要绝缘处理。

TO220-F塑封形式，内部框架、芯片、焊片全部被一体包封住，与外界隔绝。它所采用的材料是环氧树脂，这种高级环氧材料具有非常好的抗热性，防氧化性及绝缘性都非常好。我们知道应用领域多为电源高频整流环节,所以对安全性要求比较高，需要拥有很好绝缘性来避免电路短路等故障发生。正是这样，采用全塑封装的能有效避免内部电路与外界接触，更好的保护电路安全。 缺点是降低了管子散热性能。