安森美半导体实现高通快速充电QC 3.0的方案优化能效

如今，智能手机、平板电脑等便携式设备随着用户的所需而不断增大屏幕和增多功能，耗电量明显增加，如何延长电池续航时间成为工程师需要解决的重要问题。同時，用户需要快速充电，使电源适配器所需的功率也增加，高通快速充电技术是应此需求而生。

高通快速充电技术概览

采用传统的5 V输入电压充电，由于输出大电流和线性阻抗产生的压降限制电池充电IC输入对输出电压余量，且产生更多热量和能效损失导致手机系统显著发热，而减小输出电流则需要更长的充电时间。高通快速充电技术突破传统5 V充电的限制，减少线路损耗，为电池充电IC提供充足的余量，改善热性能，实现更高转换能效，大大缩短充电时间。例如，若电缆电阻300 mΩ，便携式设备中总电阻300 mΩ，采用传统的5 V电压充电，根据USB电池充电规范1.2版(USB BC 1.2)，Micro USB电缆的最大电流限制在1.8 A，输入功率为9 W，功耗为(1.8)2 x(0.3 0.3)=1.94 W，能效损失达到22%;若采用高通快速充电，将输入电压提高至9 V，在相同输入功率9 W的情况下，输入电流为1 A，此时功耗仅为12 x (0.3 0.3) = 0.6 W，能效损失仅为5 V/1.8 A的1/3，减小发热量，且实现更快充电。