反激变压器绕组屏蔽共模干扰模型建立与分析
时间：2022-03-15作者：佚名
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随着技术的发展以及应用的多样化，促使电源提高功率密度减小体积，导致了电源工作频率的上升，半导体器件的开关速度提高。而根据傅立叶变化可以把这些功率半导体的开关信号分解成基波与高次的谐波，由于开关频率的提高使得处于高次谐波的能量的增加，这就加剧了共模耦合。为了满足国际上的 CISPR16 和国内的 GB3907-83 EMI[1] 标准，通常会在变压器的一二次侧间增加屏蔽来阻隔共模干扰的耦合路径[2]。
反激式的电源中，一次侧的 MOSFET 和二次侧的 DIODE 是主要的两个开关器件，在导通关断瞬间会生成较大 dv/dt 和 di/dt，这些能量的高次谐波会通过共模耦合与串扰的形式传播到电网中形成干扰。现有的文献主要是针对利用铜箔屏蔽的变压器耦合模型建立与分析，对于企业中大量应用的低成本低损耗的解决方案：绕组屏蔽法却相提甚少。 本文的主要研究对象是对反激电源中屏蔽绕组在共模干扰中模型的建立计算与验证，为反激电源变压器的绕组屏蔽在设计上提供理论依据。 详细请查看附件 |
