长江存储还将研发国产DRAM内存，直奔20/18nm工艺

紫光旗下的长江存储科技已经研发出了国产32层堆栈的3D NAND闪存，预计2018-2019年间量产，2020年技术上有望赶超国际先进水平。解决了NAND芯片之后，长江存储下一步就要积极进军DRAM内存领域了，1月份开始担任长江存储执行副董的高启全日前对外表示长江存储已经组建了500多人的研发队伍，正在研发自己的DRAM制造技术，报道还称国产DRAM很有可能直接进入20/18nm先进工艺时代。

高启全被称为台湾存储芯片之父，他之前担任过台湾知名DRAM芯片公司华亚科董事长及南亚总裁，去年被求贤若渴的紫光公司挖走担任全球副总，主管紫光旗下的存储芯片业务，今年1月份又担任了长江存储科技的执行副董，研发中国国产DRAM的消息就是他对外公布的。

根据Digitimes报道，长江存储已经组建了500多人的研发队伍，正在开发自己的DRAM制造技术。至于国产DRAM内存到底是什么技术水平，原文报道称很可能直接进入20/18nm工艺——如果是真的，那么这个技术水平确实很先进了，虽然三星两年前就量产20nm工艺了，不过美光、SK Hynix公司今年才会完成制程转换，而18nm目前就只有三星一家大规模量产，其他两家还在准备中。