艾迈斯半导体推出具有卓越噪声性能的A30新型高性能模拟技术

全球领先的高性能传感器和模拟IC供应商艾迈斯半导体(ams AG，瑞士股票交易所股票代码：AMS)今天宣布推出高性能模拟低噪声CMOS制程工艺(“A30”)。这种新型的A30制程工艺具有卓越的噪声性能，并通过光刻工艺使体积缩小至艾迈斯半导体高级0.35µm高压CMOS制程工艺系列产品的0.9倍。

A30技术包括性能优化的绝缘3.3V器件(NMOSI和PMOSI)、绝缘3.3V低压器件(NMOSIL和PMOSIL)、一个具有薄栅氧化层厚度的绝缘高压器件((NMOSI20T)、垂直双极型晶体管(VERTN1和VERTPH)以及一个绝缘3.3V超级低噪声晶体管(NMOSISLN)，可以提供0.46 pA/ÖHz水平的闪烁噪声(@ 1kHz，ID = 1µA @ Vds = 3V，10x1.2µm²)。与H35制程工艺相比，可以降低高漏电流的闪烁噪声至少4至10倍。整个器件还包括各种电容(聚酯电容、插入式电容和MOS电容)和电阻(扩散电阻、阱电阻、聚酯电阻、高阻聚酯电阻和精密电阻)等无源器件。