SiC功率模块关键在价格，核心在技术

日前，碳化硅(SiC)技术全球领导者半导体厂商Cree宣布推出采用 SiC材料可使感应加热效率达到99%的Vds最大值为1.2KV、典型值为5.0 mΩ半桥双功率模块CAS300M12BM2。该款产品目标用途包括感应加热设备、电机驱动器、太阳能和风能逆变器、UPS和开关电源以及牵引设备等。

世强代理的CAS300M12BM2外壳采用行业标准的62mm x 106mm x 30mm，封装则采用Half-Bridge Module，具有超低损耗、高频率特性以及易于并联等特点。漏极电流方面，连续通电时最大为404A(@25℃)，285A(@90℃)， 脉冲通电时最大为1500A(@25℃)，导通电阻在栅源间电压为 20V、周围温度为25℃时只有5mΩ(标准值)。此外，即使周围温度上升至 150℃，导通电阻也只有8.6mΩ(标准值)，温度上升对导通电阻增加的影响非常小。总栅极电荷仅1025nC(标准值)，因此十分容易提高开关频率。

图1：Vds最大值为1.2KV、典型值为5.0 mΩ半桥双功率模块CAS300M12BM2