LED外延片成长工艺的解决方案

今天来探讨LED外延片的成长工艺，早期在小积体电路时代，每一个6?的外延片上制作数以千计的芯片，现在次微米线宽的大型VLSI，每一个8?的外延片上也只能完成一两百个大型芯片。外延片的制造虽动?投资数百亿，但却是所有电子工业的基础。

硅晶柱的长成，首先需要将纯度相当高的硅矿放入熔炉中，并加入预先设定好的金属物质，使产生出来的硅晶柱拥有要求的电性特质，接着需要将所有物质融化后再长成单晶的硅晶柱，以下将对所有晶柱长成制程做介绍：

长晶主要程式：

1、融化(MELtDown)

此过程是将置放于石英坩锅内的块状复晶硅加热制高于摄氏1420度的融化温度之上，此阶段中最重要的参数为坩锅的位置与热量的供应，若使用较大的功率来融化复晶硅，石英坩锅的寿命会降低，反之功率太低则融化的过程费时太久，影响整体的产能。

2、颈部成长(Neck Growth)

当硅融浆的温度稳定之后，将方向的晶种渐渐注入液中，接着将晶种往上拉升，并使直径缩小到一定(约6mm)，维持此直径并拉长10-20cm，以消除晶种内的排差(dislocation)，此种零排差(dislocation-free)的控制主要为将排差局限在颈部的成长。

3、晶冠成长(Crown Growth)

长完颈部后，慢慢地降低拉速与温度，使颈部的直径逐渐增加到所需的大小。