逆变电源后级IGBT保护指导

逆变电源当中存在前级与后级电路，它们对于逆变电源的工作效率起着较为重要的作用。在后级电路中，H桥的IGBT管异常脆弱，相较于同等容量的MOS管，H桥中的IGBT更加容易炸毁。这就意味着在设计电路时，虽然IGBT看似正常，但和IGBT进行配合之后就可能出现开机带载炸毁的情况。

有的朋友可能认为更换一个功率稍大的IGBT就会解决炸管的现象。但事实上，在更换IGBT后带载的情况下会突然增加负载和撤销负载，几次反复下来仍然会发生炸管的现象。但是有心的朋友们会发现，这其中是包含着一定规律的，只要是采用峰值电流保护措施就能避免炸管现象的发生。因此本篇文章就从此点出发，来为大家讲解逆变电源H桥中的IGBT单管驱动与保护。

驱动电路

IGBT为IXYS的，IXGH48N60B3D1，驱动电路如图1。

图1

这是一个非常典型的应用电路，完全可以用于IGBT或者MOSFET，但是也有些不一样的地方。

区别如下：有负压产生电路、隔离驱动、单独电源供电。

从总体来看，此电路没有保护，用在逆变上100%炸，但是我们可以将这个电路的实质摸清楚。

1：驱动电阻R2，这是驱动中非常重要的部分，图1中D1配合关闭的时候，让IGBT的CGE快速的放电，但实际只要需要设计即可，D1可有可无。也可以在D1回路里头串联一个电阻做0FF关闭时候的栅极电阻。