IBM宣布黑科技：新型锗硅芯片性能可达当前“最强芯”四倍以上

IBM周四表示，该公司已经打造出了超密计算机芯片的可工作版本，其计算能力约为当前最强芯片的四倍。公告称，这是由IBM牵头并投资了30亿美元的纽约州公私合作伙伴、GlobalFoundries、三星、以及设备供应商所共同实现的。半导体行业困顿在“每两年晶体管密度翻倍”的传统步伐已有段时日，而作为几十年来的行业领导者，英特尔近年来已面临技术上的挑战。

上图为一块7nm芯片晶片，其采用了掺锗硅(而不是纯硅)制成。

此外，科技界一直对芯片能否在14nm后跨过“摩尔定律”这道坎而有所怀疑，因为历次迭代都取决于以纳秒级通断电流的基本部件的最小尺寸，而目前，业界正在从14nm到10nm的商用转型。

芯片行业的每一次迭代，均可在50%的给定面积中部署一定量的电路。尽管IBM的新型芯片仍处于研究阶段，但它有望让半导体行业的缩减之路至少延续到2018年。

该公司于周四表示，他们已经制作出了包含七个纳米晶体管的样品芯片，其采用了锗硅材料(而不是纯硅)并取得了“分子大小的开关”(molecular-size switches)这一研究进展。

这种新材料有望变得让晶体管的通断变得更快，同时功耗要求更低。而这种微尺寸的晶体管也表明了业界迫切需要新的材料和新的制造技术，才能够进一步地发展。

为了让大家更深刻地认识到这七个纳米晶体管的大小，IBM拿直径约2.5nm的DNA链、以及直径约7500nm的红细胞作为对比。该公司称，其有望打造出包含超过200亿晶体管的微处理器。

纽约州立大学纳米科学与工程学院的Michael Liehr(上左)和IBM公司的Bala Haranand正在检查遍布了新型芯片的晶圆。其目前尚未做好商业化生产的准备。