效率更高 光输出更高

欧司朗光电半导体正使用搭载薄膜技术的高效芯片装备其径向红外LED (IRED)。这一改变将影响采用 T1 (3 mm) 和 T1 (5 mm) 封装及表面贴装径向 (SMR) 封装、波长为 850 nm 和 950 nm的发射器的整个产品组合。发射极其聚集的径向 IRED尤其适用于光栅、烟雾探测器等传感器应用。现在更换为搭载薄膜技术后，它们的光输出明显提高，因此能跨越更远的距离。自2009 年以来，欧司朗光电半导体已经在其表面贴装 (SMT) 高功率 IRED 中使用搭载薄膜技术的红外发射器芯片。

亮度倍增

搭载薄膜技术的芯片比传统芯片高效得多，换言之，它们能将每瓦电力转换为更多的光。此外，它们基本上能将所有的光向上发射，所以几乎所有的光都能射入径向元件的透镜中。总的来说，薄膜技术使径向 IRED 的辐射强度(即每立体角的光输出)增加了很多倍，具体取决于发射角。SFH 4512 就是一个很好的示例，它是 950 nm 波长的 IRED，备 10° 半角，采用 5 mm 封装。工作电流为 100 毫安 (mA) 时，其典型辐射强度为 40 毫瓦/球面度 (mW/sr)。半角和电流相同的情况下，搭载薄膜技术的同等产品 SFH 4544 的典型辐射强度高达 550 mW/sr，比上述旧数值高 13 倍以上。此改变使 850 nm 发射器的亮度也增加了七倍。