韩国的第三代半导体破局之路

　　就在几天前(5月3日)，韩国宣布启动“X-band GaN半导体集成电路”国产化课题。韩国无线通信设备半导体企业RFHIC(艾尔福)被选定为课题牵头企业，SK Siltron将参与SiC基板/GaN树脂的制作，LIG nex1负责系统的验证，韩国电子通信研究院(ETRI)的半导体工厂将被用来进行GaN MMIC的制作。

　　而在早前4月1日，韩国政府曾召开会议，发表了“下一代功率半导体技术开发及产能扩充方案”，宣布将正式培育下一代功率半导体技术，到2025年开发5种以上的商业化产品，并在国内建设6~8英寸代工厂。

　　逻辑存储领域的半导体巨头韩国，近年来在第三代半导体方面动作频频。

　　政策方面

　　2000年

　　韩国制订了GaN开发计划，政府在2004~2008年投入4.72亿美元，企业投入7.36亿美元以支持韩国进行光电子产业发展，使韩国成为亚洲最大的光电子器件生产国。

　　2009年

　　韩国发布《绿色成长国家战略》，全力发展环保节能产业，并致力于使得该产业成为韩国经济增长的主要动力之一。其中在金属有机化学气相沉积(MOCVD)机台自制计划中，2010~2012年间投入约4500万美金以推动MOCVD机台实现国产化、引进制程自动化系统并开发高速封装、监测设备。

　　2016年

　　韩国围绕Si基GaN和SiC器件启动功率电子国家项目，同时重点围绕高纯SiC粉末制备、高纯SiC多晶陶瓷、高质量SiC单晶生长、高质量SiC外延材料生长4个方向，开展了国家研发项目。

　　2017年

　　韩国产业通商资源部(MOTIE)举办研讨会，为了强化系统半导体的竞争力，产、官、学三界联手投资4645亿韩元(4.15亿美元)，开发低能源、超轻量和超高速的半导体芯片。这当中1326亿韩元用于开发先进超轻量传感器、837亿韩元投入低耗能的SiC功率半导体，47亿韩元投资超高速存储器和系统整合设计技术……

　　具体方向上，我们以韩国四大财团Samsung、SK、LG和现代集团的第三代半导体布局来看。

　　01 Samsung

　　Samsung内部曾有自身的功率半导体事业部，但后来因为受到专利诉讼、国际货币基金组织(IMF)危机等，于1999年出售此部门给美商仙童半导体(Fairchild)，其中包含了功率MOSFET、IGBT等业务。(此后仙童半导体成为全球第二大功率MOSFET供应商，并于2015年被安森美收购。

　　2018年三星和美国仙童的主要技术骨干又重新创办了Maplesemi美浦森半导体，目前总部位于深圳，工厂位于韩国浦项，主营功率MOSFET和SiC相关产品。)

　　2000年以后，Samsung以存储器和逻辑IC为主的半导体业务迎来大爆发，并在2011年宣布重启功率半导体事业部，设立电力装置中心(PowerDeviceCenter)，集中研究IGBT技术，以及SiC/GaN等新一代半导体材料。其中以GaN领域研究成果显著，尤其是在光电器件方面处于世界领先地位，另外Samsung与美国康宁合资成立三星康宁精密材料(SCPM)进军GaN材料，于2011年完成了4英寸高品质GaN基板研发。

　　近几年，Samsung为加快系统半导体生态系统建设，以旗下两档投资基金主导(Samsung Next Fund Catalyst Fund)，已经开始着手投资中小型系统半导体初创公司，其中不乏第三代半导体相关企业。

　　其中一家IVworks于2019年已获得了80亿韩元的B轮融资。IVworks是韩国第一家开发8英寸GaN-on-Si外延片和4英寸GaN-on-SiC外延片的晶圆代工厂。与美国IntelliEPI(英特磊)通力合作，结合IVWorks的先进MBE GaN长晶和AI技术，以及英特磊的大规模MBE外延生产和硬设备自主经验与能力，共同开发MBE制造的GaN外延产品，应用于RF和电力器件市场。

　　另一家公司iBeam，其将GaN FET与Micro LED发射器并排集成来创建显示器的新型技术，亦吸引到Samsung投资。

　　02 SK

　　SK集团的半导体事业部中最为人熟知是存储大厂SK Hynix (海力士)，另外还有Si晶圆领先供应商SK Siltron和半导体材料及零部件厂商SKC。