单双向可控硅中电感负载错误应用分析

随着技术的进步，双向可控硅逐渐替代两只反极性并联可控硅。并且双向可控硅仅仅需要一个触发电路就可以工作，因此受到了设计者们的欢迎。但在电子电路的制作过程中，却存在着一些关于单双向可控硅的错误应用。

在本文当中，小编就将为大家总结出关于电感负载方面的单双向可控硅应用错误。

电感负载的应用

近来市场上出售一种调光器，类似某些调光台灯内控制电路，利用控制RC充电时间。通过双向二极管控制可控硅的导通角，控制负载电路的功率，实为调功器。这种调功器用于控制白炽灯、电阻加热器等电阻性负载，要求可控硅耐压高于交流电的峰值电压即可。一般台灯调光。常用反压400V的可控硅，考虑到提高可靠性，600V已足够。

可控硅用于控制电感负载，譬如电风扇、交流接触器、有变压器的供电设备等，则不同。因为这种移相式触发电路，可控硅在交流电半周持续期间导通，半周过零期间截止。当可控硅导通瞬间，加到电感负载两端电压为交流电的瞬时值，有时可能是交流电的最大值。根据电感的特性，其两端电压不可能突变，高电压加到电感的瞬间产生反向自感电势，反对外加电压。外加电压的上升曲线越陡，自感电势越高，有时甚至超过电源电压而击穿可控硅。因此，可控硅控制电感负载，首先其耐压要高于电源电压峰值1.5倍以上。此外，可控硅两电极间还要并联接入RC尖峰吸收电路。常用10—30Ω/3W以上电阻和0.1—0.47uF/600V的无极性电容。

交流调功电路中，可控硅是在交流电过零期间关断，从理论上讲，关断时电流变化为零，无感应电压产生。加入RC尖峰抑制电路，是为了抑制可控硅导通时的自感电势尖峰。如不加入此电路，不但可控硅极易击穿，负载电路的电感线圈也会产生匝间、或电机绕组间击穿，这点是决不能忽视的。

本文对于单双向可控硅中电感负载的常见错误性应用进行了介绍，并分析了错误的产生并给出了解决建议。希望对于此类问题有疑问的朋友提供一定帮助。