只需5分钟就能形成几cm见方的高品质石墨烯技术

美国加州理工学院(California Institute of Technology，简称Caltech)的研究人员开发出了室温下只需5分钟就能在铜(Cu)箔上形成几cm见方高品质石墨烯的技术，并在学术杂志“Nature Communications”上发表了论文。这项技术可能会给太阳能电池、显示器的的透明电极、燃料电池的氢离子渗透膜、高品质隔离膜以及柔性电子整体带来很大的影响。

此前主要有两种方法可以获得高品质的石墨烯。一种是将胶带贴在石墨上再揭下来，从而将石墨烯剥下来的“机械剥离法”。不过，这种方法难以实现量产，所获得的石墨烯尺寸较小，直径还不到1mm。

另一种方法是化学气相沉积(CVD)法，具体是将铜箔加热至1000℃左右，向其中加入甲烷(CH4)等碳源后形成石墨烯。这种方法虽然能够获得直径在1cm左右的高品质石墨烯，但需要高温且复杂的工艺，而且需要花费约10个小时。