台大、台积电与麻省理工共同研发：利用半金属铋，可有助实现半导体1nm制程

此项技术融合了多方智慧的结晶。据悉，美国麻省理工团队首先发现在二维材料上搭配半金属铋（Bi）的电极，能大幅降低电阻并提高传输电流。随后台积电技术研究部门将铋（Bi）沉积制程进行优化，台湾大学团队并运用氦离子束微影系统将元件通道成功缩小至纳米尺寸，最终这项研究成果获得了突破性的进展。

台湾大学在14日指出，目前，半导体主流制程主要采用硅作为主流材料。然而，随着摩尔定律不断延伸，芯片制程不断缩小，芯片单位面积能容纳的电晶体数目，也将逼近半导体主流材料硅的物理极限，芯片的性能也很难再进一步提升。尽管一直以来科学界对二维材料寄予厚望，却苦于无法解决二维材料高电阻、及低电流等问题，以至于取代硅成为新兴半导体材料一事，始终是空中楼阁。可见，此次利用半金属铋（Bi）作为二维材料的接触电极可谓是迈向1nm甚至更先进制程的关键一步