IC Insights：今年全球NAND闪存资本支出将增长8%，至299亿美元

在预测期内，随着NAND闪存供应商准备从2022年底到2023年进入200层以上设备的竞争，将需要新的晶圆厂和新设备。到今年晚些时候，三星和美光可能是第一批开始量产的公司。两家公司以及SK海力士目前都在量产176层NAND。三星位于中国西安的晶圆厂是（并将成为）领先NAND的关键制造基地，拥有两个晶圆厂，每个晶圆厂全面投产后每月可生产120000片晶圆。随着对企业存储应用的日益关注，SK海力士预计将在2023年迁移到196层。