中国工程院吴汉明院士：后摩尔时代前端制造面临三个挑战

3月15日，中国工程院院士、浙江大学微纳电子学院院长吴汉明在2021 第十九届中国半导体封装测试技术与市场年会（CSPT 2021）上表示，后摩尔时代导致前端制造将面临三个挑战：基础挑战为精密图形、核心挑战为新材料、终极挑战为良率的提升。此外，他在演讲中提出了三条可以突破高算力发展瓶颈的创新途径：三维异质集成晶圆级集成、存算一体范式、可重构计算架构。

吴汉明指出，现在摩尔定律发展已经开始放缓，晶体管密度不能按照以往两年增加一倍的节奏发展。从制造成本上来看，在28纳米以前的工艺制造成本下降速度较快，但28纳米之后制造成本下降趋缓。性能方面，在2002年以前大概每年都可以提升52%，到2014年，每年提升降为12%。到2018年，每年性能仅能提升3.5%，所以性能提升也呈趋缓态势。

种种迹象表明，后摩尔时代已经来临，吴汉明认为这导致前端制造时将面临三个挑战：基础挑战为精密图形、核心挑战为新材料、终极挑战为良率的提升。

如何应对市场对于算力需求的提升？吴汉明表示，通过计算范式、芯片架构和集成方法等技术创新，可以突破高算力发展的瓶颈，并提出三条创新途径：一是三维异质集成晶圆级集成；二是存算一体范式；三是可重构计算架构。目前，基于TSV（硅通孔）的三维异质异构芯片已经公开发布过了；采用28纳米工艺的全球最大容量存算一体芯片，单芯片算力达到了300-500TOPS；采用40纳米工艺的混合粒度可重构芯片也实现了效能全球领先。吴汉明建议，在1~2年内，将存算一体芯片和可重构计算芯片利用三维集成技术集成在一张Substrate（基底），随后在3~4年内，再通过晶圆级集成在一个大硅片上。

在谈到集成电路产教融合话题时，吴汉明指出芯片制造技术成果转化的特点，一是转让，将技术成熟、可以在生产上直接应用的成果，在其使用范围内加以应用和推广，扩大生产规模。二是转化，将实验室取得的初试成果进行研究开发和中间试验，使之变成生产上可以直接采用的成熟技术，实现大生产。就转化而言，核心在于是演示生产可行性，也就是中试环节验证，也可以认为是缺少中试的技术转化难以生产化。

集成电路器件的四大产教融合成果转化包括三维器件(FinFET)、高介电常数和金属栅（HKMG）、应变硅(Strained Si)以及源漏提升(Raised S/D)。实验室的成果通过Pilot-line（先导线）实现产业的成果转化。我国目前真正通过产教融合转化出来的还很少。吴汉明指出核心问题在于，我们缺一条Pilot-line，使得交叉学科可以开花结果，真正实现产业化。

吴汉明一直在做准备，希望筹建一个具有成套工艺线三大功能的产教融合公共平台，三大功能分别为：一是协同创新，打造设计制造一体化平台，从设计到试验再到制造，缩短研发周期；二是人才培养，从各个方面支撑新工科学院建设，让学生有机会从设计到制造，真正全方位的了解集成电路；三是生态建设，支持产业链建设，完善创新生态。吴汉明指出，成套工艺是学科交叉的手段，是成果转换的途径，也是产业水平的集中标志。目前，产教融合的浙江大学成套工艺研发线已经在建设当中，预计今年9月完成，10月开始流片。