垂直结构LED晶片的详细介绍

由于蓝宝石基板的导热系数差，影响LED的发光效率。为了解决LED的散热难题，未来有可能将主要采用垂直结构LED的架构，促进LED产业的技术发展。关于垂直结构LED技术相信大家都有所耳闻，下面仅从技术表层进行介绍，谨供参考。

我们知道，LED芯片有两种基本结构，横向结构(Lateral)和垂直结构(Vertical)。横向结构LED芯片的两个电极在LED芯片的同一侧，电流在n-和p-类型限制层中横向流动不等的距离。垂直结构的LED芯片的两个电极分别在LED外延层的两侧，由于图形化电极和全部的p-类型限制层作为第二电极，使得电流几乎全部垂直流过LED外延层，极少横向流动的电流，可以改善平面结构的电流分布问题，提高发光效率，也可以解决P极的遮光问题，提升LED的发光面积。

我们先来了解下垂直结构LED的制造技术与基本方法：

制造垂直结构LED芯片技术主要有三种方法：

一、采用碳化硅基板生长GaN薄膜，优点是在相同操作电流条件下，光衰少、寿命长，不足处是硅基板会吸光。

二、利用芯片黏合及剥离技术制造。优点是光衰少、寿命长，不足处是须对LED表面进行处理以提高发光效率。

三、是采用异质基板如硅基板成长氮化镓LED磊晶层，优点是散热好、易加工。

制造垂直结构LED芯片有两种基本方法：剥离生长衬底和不剥离生长衬底 。其中生长在砷化镓生长衬底上的垂直结构GaP基LED芯片有两种结构：

不剥离导电砷化镓生长衬底：在导电砷化镓生长衬底上层迭导电DBR反射层，生长 GaP 基LED外延层在导电DBR反射层上。