隔离驱动IGBT功率器件设计技巧

如何避免米勒效应?

IGBT操作时所面临的问题之一是米勒效应的寄生电容。这种效果是明显的在0到 15 V类型的门极驱动器(单电源驱动器)。门集-电极之间的耦合，在于IGBT关断 期间 ， 高dV / dt瞬态可诱导寄生IGBT道通(门集电压尖峰)，这是潜在的危险。

当上半桥的IGBT打开操作，dVCE/ dt电压变化发生跨越下半桥的IGBT。电流会流过米勒的寄生电容，门极电阻和内部门极驱动电阻。这将倒至门极电阻电压的产生。如果这个电压超过IGBT门极阈值的电压，可能会导致寄生IGBT道通。

有两种传统解决方案。首先是添加门极和发射极之间的电容。第二个解决方法是使用负门极驱动。第一个解决方案会造成效率损失。第二个解决方案所需的额外费用为负电源电压。

解决方案是通过缩短门极 - 发射极的路径， 通过使用一个额外的晶体管在于门极 - 发射极之间。达到一定的阈值后，晶体管将短路门极 - 发射极地区。这种技术被称为有源米勒钳位， 提供在我们的ACPL-3xxJ产品。你可以参考Avago应用笔记 AN5314

在哪些应用场合需要考虑米勒效应的影响?

IGBT操作时所面临的问题之一是米勒效应的寄生电容。这种效果是明显的在0到 15 V类型的门极驱动器(单电源驱动器)。门集-电极之间的耦合，在于IGBT关断 期间 ， 高dV / dt瞬态可诱导寄生IGBT道通(门集电压尖峰)，这是潜在的危险。

当上半桥的IGBT打开操作，dVCE/ dt电压变化发生跨越下半桥的IGBT。电流会流过米勒的寄生电容，门极电阻和内部门极驱动电阻。这将倒至门极电阻电压的产生。如果这个电压超过IGBT门极阈值的电压，可能会导致寄生IGBT道通。

有两种传统解决方案。首先是添加门极和发射极之间的电容。第二个解决方法是使用负门极驱动。第一个解决方案会造成效率损失。第二个解决方案所需的额外费用为负电源电压。

解决方案是通过缩短门极 - 发射极的路径， 通过使用一个额外的晶体管在于门极 - 发射极之间。达到一定的阈值后，晶体管将短路门极 - 发射极地区。这种技术被称为有源米勒钳位， 提供在我门的ACPL-3xxJ产品。