技术荟|详解LED器件SiP封装新工艺

　　导读

　　近日，来自代尔伏特理工大学和德黑兰大学的研究人员发现一种新型的智能LED SiP封装工艺。他们认为衬底级别封装才是低成本、高集成度、高产量的解决方法。

　　智能LED SiP封装简介

　　如图1所示，硅基的衬底级封装（WLP）是一种在应用产品中广泛使用的技术。这种技术同样也是控制成本和发热的关键。对于SiP封装，一般常用于CMOS等电子器件，这种封装能够进行大规模的生产兼具极高的集成度。同理，对于LED器件，SiP封装同样能够解决LED亮度和强度衰减问题。

　　对于LED SiP封装来讲，目前分为两种：1. 表面贴装型，这种方式的电极直接生长在硅基衬底上同时芯片也是固定在衬底中；2. 腔式结构型，腔式结构一般在硅（100）衬底中用湿法刻蚀形成。空腔的结构即是反射面也是填充荧光材料和松脂的支撑结构。

　　如图2所示，智能LED SiP模块具有很高的光输出功率，同时包含了大电流蓝色LED光源和反射腔中不同功能的传感器。除此之外，LED的控制电路也集成在同样的基底上，无需外加控制芯片，这样可以有效的降低成本。

　　LED SiP封装特点：

　　1. 光学衬底级性能表现；

　　2. 器件远距离生长稳定荧光膜品质；

　　3. 更高的光效：反射结构能够反正侧面的光照并有效提升15%光效；