氮化镓｜德国ALLOS公司对传统硅基氮化镓外延工艺提出质疑

　　近日，在ICNS 2017大会中，德国ALLOS公司的创始人兼CTO Atsushi Nishikawa博士提出了对于硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延工艺的三种新看法。

　　三种传统的观念

　　首先，在传统的工艺中，人们存在一些传统的观念。

　　在制作工艺中，C元素的掺杂是不可避免的；

　　缓冲层的夹层往往是漏电流的原因；

　　正确的生长设备才可以生产高品质的器件。

　　三种新的看法

　　由于在晶体生长过程中常常会有晶体杂质的引入，因此GaN外延片生长过程中就会导致GaN层的分离程度远远低于理论值。为了解决这一难题，GaN外延片制造商常常会采用C元素掺杂来达到分离GaN的目的。但是传统的C元素以及其他元素掺杂会引起一系列的副作用。

　　Nishikawa博士的方法是采用较高质量的晶圆以及相对厚的GaN层，这种方法不仅可以避免掺杂带来的副作用也可以增加后期各种蚀刻工艺的适用性以及本身材料的电气特性。