沟槽填充p型氮化镓可增加InGaN LED输出功率

　　韩国首尔国立大学和三星电子有限公司已经使用填充有p型氮化镓的沟槽来增加InGaN LED的输出功率。

　　沟槽的目的是使孔更有效地进入多量子阱（MQW）结构。在传统的LED中，来自顶部p-GaN接触层的孔往往要远离阱顶部，这意味着从阱下部发出的光不会太多。通过沟槽，研究人员希望增加进入设备较深部分的孔的数量（图1a）。

图1（a）常规LED和p型沟槽LED的MQW孔分布

（b）张力存在或消除时，MQW的能带结构

　　研究人员也希望用沟槽分裂应变材料能减少由III族氮化物极化引起MQW结构中的压电场。张力的出现是由于GaN和InGaN晶体结构之间出现晶格失配。

　　在量子阱结构中，在内建极化电场的作用下，能带发生倾斜，电子和空穴发生分离，波函数交叠量减少，并转换成光子（图1b），这就是通常说的量子限制斯塔克效应（QCSE）。通过在半极性或非极性晶体取向中生长材料可以避免这种影响，但是通常需要使用昂贵的自立式或大块的GaN基板。

　　空穴运输差是导致高电流注入时效率下降的其中一个原因。由于大多数的电子-空穴复合发生在一个或两个阱中，非辐射“俄歇”似的起始电流就会降低。此外，电子溢出到p-GaN接触层中的概率大大增加。

　　用金属有机化学气相沉积法 (MOCVD) 在c面蓝宝石基板上生长的的3nm/12nmInGaN / GaN多量子阱，通过电子束光刻法定义沟槽。有源区发出蓝光。光刻在聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）抗蚀剂的100nm涂层上进行。通过电感耦合等离子体蚀刻将形成沟槽的图案转移到MQW结构中，在950℃温度和200Torr压力下，p型GaN填充的沟槽横向生长。