美研究人员放大招 或可让LED达到零光衰？

　　伊利诺大学香槟分校研究人员发展出一种新的方法，提升绿光LED亮度并且提高其效率。

伊利诺大学的电气与计算机工程系助理教授Can Bayram发展出一种新的方法，提升绿光LED亮度并且提高其效率。（所有图片来源：伊利诺大学）

　　使用产业内标准的半导体长晶技术，研究人员在硅基板上制造氮化镓(GaN)晶体，这种晶体能够产生高功率的绿光，应用于固态照明。

　　伊利诺大学的电气与计算机工程系助理教授Can Bayram表示：“这是一个具有突破性的制程，研究人员成功在可调式的CMOS硅制程上生产新的原料，也就是方形氮化镓 (cubic GaN)，这种原料主要用于绿色波长射极。”

　　将半导体用于感测以及通讯能够打开可见光通讯的应用，而光通讯正是彻底改变光应用的技术。支援CMOS制程的LED能够达到快速、高效率、低功率且多重应用的绿光LED同时能够省下许多制程装置的费用。

　　通常GaN形成一至两种晶体结构，六方形或立方体。六方形GaN为热稳定，且是传统半导体的应用。不过，六角形GaN较容易出现偏振现象，内部的电场将负电子与正电子分开，防止他们结合，因此而造成光输出效率下降。