UCSB研究人员证实原子缺陷导致LED效率降低

　　UCSB的概念插图： GaN的晶格缺陷

　　Chris Van de Walle率领研究团队开展此项工作。他说，如果LED材料存在这种缺陷，利用技术可以发现这种缺陷。这些技术可以用来提高材料的质量。不是所有创造出来的LED都是一样的。事实上，很难制造出性能和特性一模一样的LED。效率是LED最重要的特征。在原子层面上，LED的性能很大程度上依赖于半导体材料的质量。

　　Van de Walle 说：“在LED中，从一个侧面注入电子，从另一个侧面注入电洞。”他们穿过半导体的晶格--基于氮化镓的白色LED材料。然后，电子和电洞（电子缺失）会使二极管发光。当电子遇到电洞时，它就转变为低能态，释放光子。

　　有时，虽然电荷载体相遇，但不发光，产生所谓的肖克利读霍尔（SRH）重组。据研究人员介绍，在相遇但不发光的晶格中捕获缺陷的电荷载体，就会发生SRH重组。