《SiC MOSFET可靠性分析》联盟技术报告正式立项

据介绍，该项技术报告提案经CASA标准化委员会（CASAS）秘书处初审，认为该技术报告的制定将有利于衔接产业链上中下游，推动SiC MOSFET的标准化工作进展，助力产业对该器件可靠性的进一步全面认识，符合CASAS技术报告的立项条件，故予以审核通过，并报请CASAS管理委员会，分配编号为：T/CASA/TR 002。

针对SiC材料缺陷、工艺缺陷等带来的器件可靠性一系列的问题，已经引起了行业的广泛关注。T/CASA/TR 002-202X《SiC MOSFET可靠性分析》首先阐述分析了衬底/外延、芯片工艺、封装工艺带来失效问题，然后调研、分析器件失效时关键特征参数的表征，如阈值电压、体二极管退化、关态漏源电流等，以及可靠性试验及模型等内容，最后聚焦在应用相关动态参数的可靠性测试。

复旦大学宽禁带半导体研究团队聚焦宽禁带半导体材料生长、功率器件物理与设计、先进制造工艺及产业化、功率模块及可靠性测试、电力电子技术五大研究方向。现有成员17人，其中特聘教授3人，研究员/副研究员14人。2020年团队联合华大半导体共建成立上海碳化硅功率器件工程技术研究中心。在中心主任张清纯教授带领下通过与半导体器件生产和电力电子应用企业紧密合作，致力于研发基于宽禁带半导体，特别是SiC材料为核心的新型功率器件、工艺和模块，加速下一代碳化硅基功率电子的广泛应用。团队现有复旦大学宽禁带半导体技术实验室、光华临港宽禁带功率器件及应用创新平台、以及复旦大学宁波研究院宽禁带半导体材料与器件研究所等研发平台。

此外，《SiC MOSFET可靠性分析》技术报告的编写还邀请了包括但不限于东南大学、北京工业大学、中科院微电子所、国网智能电网研究院、西安电子科技大学、瀚天天成、工信部电子五所、泰科天润、中科院电工所、禾望电气、中电科十三所等单位共同参加，并诚邀产业内可靠性相关专家共同开展这项起草工作，为产业发展贡献微薄之力。