时创意推出新一代eMMC嵌入式闪存

日前，深圳市时创意电子有限公司宣布推出新一代eMMC嵌入式存储芯片产品，已正式量产。

据悉，该产品基于长江存储第三代512Gb TLC 3D NAND打造，具备高密度，高速率，高可靠性等优点，广泛应用在手机、平板电脑等嵌入式存储领域，具备广阔的市场前景。

（E128CYNT2ABE00 产品图示）

随着5G和人工智能技术的应用范围越来越广，移动设备对存储芯片的性能、容量和数据稳定性等要求不断提高，市场对更大容量、更高性能和更低成本的存储芯片解决方案的需求愈加明显。

为了满足电子产品对大容量高性能存储芯片日益增长的市场需求，时创意研发团队通过多年技术积累，厚积薄发，推出了新一代eMMC嵌入式存储产品，并采用了长江存储Xtacking架构第三代512Gb TLC 3D NAND。该产品的推出进一步丰富了时创意的存储产品线，同时为市场提供高性价比、高性能的存储芯片产品解决方案。

此次发布的eMMC存储芯片，采用SMI最新基于LDPC ECC纠错引擎的主控芯片，搭配长江存储Xtacking架构第三代TLC 3D NAND闪存颗粒。产品覆盖了64GB~512GB容量段，降低了存储芯片成本，同时，在产品性能上亦得到进一步提升。

（128GB 样品CrystalDiskmark测试截图）


（128GB 样品Androidbench测试截图）

此次发布的eMMC产品搭载遵循onFI 4.1技术规范，VCCq支持1.2V电压，拥有4 Plane的闪存架构，NAND最高速度可达1600MB/s，对比长江存储的上一代3D NAND闪存颗粒，具有更高的I/O速度，更高的数据存储密度，同时在功耗上做了进一步优化。此款产品采用时创意自主算法的固件架构，并通过了5万 次SPOR（异常掉电）测试、168小时高低温老化测试和数据保持测试，以及一系列的其他严格标准测试，确保产品稳定可靠，可以满足手机、平板、物联网、安防、智能穿戴等多个行业的市场应用和需求。