天岳先进披露上市后首份年报：2021年营收4.94亿元，实现扭亏为盈
时间：2022-04-01作者：佚名
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半导体产业网消息：3月31日晚间，第三代半导体衬底材料生产商天岳先进披露了上市后首份年报。2021年公司实现营收4.94亿元，同比增长16.25%；归母净利润8995.15万元，成功实现扭亏为盈。
 第三代半导体材料碳化硅衬底是天岳先进的核心产品及主要收入来源，经过十余年的技术积累，公司已掌握涵盖晶体生长、衬底加工等各环节核心技术。天岳先进市场影响力持续增强，根据行业知名机构Yole报告显示，在半绝缘碳化硅衬底领域，公司已经连续三年市占率位列全球前三。公司自主研发的半绝缘型碳化硅衬底产品，广泛应用于5G通信、国防军工、航空航天等射频领域。2019年12月，公司获得国家科学技术进步一等奖。
根据 yole 报告统计，2021 年公司在半绝缘碳化硅衬底领域，市场占有率连 续三年保持全球前三。同时，公司正加快提升导电型衬底产能建设。
目前，天岳先进为迎接导电型衬底市场的爆发，科创板上市募集资金约35亿元，主要用于提升导电型衬底产能，加速推进其上海临港项目。该项目被列为2022年上海市重大建设项目，预计三季度实现一期项目投产。据悉，达产后将新增碳化硅衬底材料产能约30万片/年，是目前公司产能的六倍之多，将有效缓解公司产能不足。
本项目主要用于生产 6 英寸导电型碳化硅衬底材料，满足下游电动汽车、新能源并网、智能电网、储能、开关电源等碳化硅电力电子器件 应用领域的广泛需求。本项目预计2022年三季度实现一期项目投产，并计划于 2026 年达产，达产后将新增碳化硅衬底材料产能约30 万片/年。同时，公司也将智慧工厂纳入实现未来发展战略的实施路径。
2021 年公司销售衬底约57,000 片。近年来为满足日益增长的市场需求，抢占产业高地，公司积极优化产能布局。公司已在山东济南、济宁建立碳化硅衬底生产基地，主要生产半绝缘型衬底；上海临港项目定位为 6 英寸导电型碳化硅衬底生产基地。随着临港项目的建设，预期公司产能将得到持续提升。同时公司在日本设立研发及销售中心，积极开拓海外市场。未来，公司将始终以客户为中心，不断加大研发投入、强化自主创新、加快产品迭代、提升产品质量、增加产能、扩大市场份额，致力于成为国际宽禁带半导体行业的领军企业。 另外，天岳先进研发投入高增长，持续构筑领先的技术优势。公司2021年在研项目的研发投入将近1.42亿元，主要集中在大尺寸及导电型衬底领域。年报显示，去年研发投入较上一年增长62.05%。一方面公司持续加大针对导电型衬底大规模产业化相关的研发投入，为满足上海临港项目投产奠定基础；另一方面，公司持续加大大尺寸高性能指标产品的研发和技术迭代，持续保持领先的竞争优势。
天岳先进表示，持续研发投入也提升了公司长远竞争优势。依托“8英寸宽禁带碳化硅半导体单晶生长及衬底加工关键技术项目”等项目，公司在加快研发大尺寸碳化硅衬底以及提升导电型衬底关键指标等方面获得突破性进展。
不过，天岳先进在财报中还表示，近年来凭借卓越的研发及创新能力，公司已成为全球为数不多的掌握半绝缘型和导电型碳化硅衬底、产品尺寸较全的碳化硅衬底生产商。在碳化硅衬底领域，企业量产的碳化硅衬底尺寸大小、同尺寸产品的参数指标是评价产品技术水平优劣的关键综合评价指标。目前，公司与全球行业龙头企业相比，同尺寸产品在技术参数上不存在明显差距；且公司 4 英寸产品已经量产，与全球行业龙头企业相比差距较小；但在各尺寸量产时间、大尺寸产品供应情况及供应链配套等方面仍与全球龙头企业存在一定差距。 |
