拓荆科技即将登陆上交所科创板 打造半导体设备制造领域领军企业
时间：2022-04-08作者：佚名
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拓荆科技（688072）即将登陆上交所科创板。
拓荆科技相关负责人在4月7日举行的网上路演活动中表示，拓荆科技作为国内高端半导体设备行业重要的领军企业，自成立以来始终专注于芯片制造所需核心设备之一的薄膜沉积设备领域，现已成为国内唯一一家产业化应用的集成电路PECVD、SACVD设备厂商，也是国内领先的ALD设备厂商。公司将积极把握行业机遇，以登陆资本市场为重要契机，进一步做大、做强主营业务，将公司打造成为半导体设备制造领域领军企业。 半导体设备行业具有较高的成长性。其中，拓荆科技聚焦的薄膜沉积设备与光刻设备、刻蚀设备共同构成晶圆制造三大核心设备，决定了半导体芯片制造工艺的先进程度。
拓荆科技深耕行业十余年，不断夯实技术储备，充分把握行业机遇，强化自主研发，形成了包括等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备、原子层沉积（ALD）设备和次常压化学气相沉积（SACVD）设备三个产品系列。
公司近年来的营业收入和客户数量均实现快速增长。2018年至2021年，拓荆科技累计实现营业收入15.15亿元，其中2021年营收增长率达74%。公司主要产品已批量发往各大行业领先集成电路制造企业产线，广泛应用于国内晶圆厂14nm及以上制程集成电路制造产线；同时，公司在研产品也已发往国际领先晶圆厂,参与其先进制程工艺研发。
相关业内人士表示，预计未来拓荆科技的三大系列产品将持续受益于行业高景气度，或迎来业绩高速增长期。
拓荆科技作为高新技术企业，一直立足于自主创新，持续投入研发。2018年至2020年及2021年前三季度，公司研发投入分别占各期营业收入的152.84%、29.58%、28.19%和34.65%。
在半导体薄膜沉积设备领域，拓荆科技积累了多项研发及产业化核心技术。截至2022年3月8日，拓荆科技累计获取授权专利174项，其中发明专利共计98项。同时，公司还先后承担了“90-65nm等离子体增强化学气相沉积设备研发与应用”“1x nm 3D NAND PECVD 研发及产业化”等多项国家重大专项及课题。
凭借深厚的技术积累和巨大的研发投入，拓荆科技持续创新，不断推出满足市场需求的新产品。在PECVD、ALD及SACVD设备领域，拓荆科技已形成覆盖20余种工艺型号的薄膜沉积设备，可满足下游客户晶圆制造产线多种薄膜沉积工艺需求。
拓荆科技创始团队是以前后两任董事长为核心的多名国家级专家组建的一支国际化技术团队。公司成立数年来，拓荆科技始终立足核心技术研发，积极引进高层次人才、自主培养科研团队。
截至2021年9月30日，拓荆科技研发人员189名，占员工总数的44.06%，是奠定公司技术实力的基石，也为公司提高产品市场竞争力提供有力保障。
此次登陆科创板，拓荆科技拟募集资金逾10亿元，主要用于高端半导体设备扩产、先进半导体设备的技术研发与改进以及ALD设备研发与产业化等项目。
拓荆科技表示，公司未来将持续保持对最新技术的研究和投入，坚持技术和产品创新，继续专注于高端半导体设备研发生产，扩大现有设备市场占有率，提高公司设备技术先进性，丰富设备种类，拓展技术应用领域，提高公司综合竞争力，将公司打造成为半导体设备制造领域领军者。 |
