晶湛半导体发布Full Color GaN®全彩系列LED产品并打破300mm壁垒

尽管高效率的蓝光和绿光InGaN基LED已经实现，但对于红光LED来说，由于InGaN量子阱和GaN缓冲层之间存在的巨大晶格失配而导致的晶体质量较差，因此外延生长高效率的红光LED仍然非常具有挑战性。晶湛半导体通过采用应力工程和极化工程等专利技术，成功地克服了这些困难（图1和图2），并成功将其硅基氮化镓（GaN-on-Si）LED外延片产品组合扩展为200mm硅衬底上Full Color GaN^®全彩系列产品（波长：390~650nm）。

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图1: 晶湛半导体Full Color GaN^® 全彩系列产品

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图2: 硅基/蓝宝石基Full Color GaN^® 全彩系列产品IQE对比和电致发光光谱

波长均匀性是实现Micro-LED显示的关键因素，晶湛半导体的Full Color GaN^®全彩系列产品在整个200mm晶圆上具有出色的波长均匀性（图 3），而且蓝光LED晶圆尺寸最大可以到300mm，并具有优异的波长均匀性，全片标准偏差小于2nm（图4）。

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图3: 晶湛半导体200mm Full Color GaN^®全彩系列LED外延片波长分布图

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图4: 晶湛半导体300mm 硅基氮化镓蓝光LED外延片波长分布图

基于200mm Full Color GaN^®全彩系列LED外延片，晶湛半导体展示了像素尺寸在2µm至50µm范围内的RGB micro-LED阵列（图5和图6）。Full Color GaN^®系列产品的表面缺陷密度可以控制在0.1/cm²以内，即使像素尺寸微缩至2µm x 2µm（阵列：100 x 100），所有像素点依然都可点亮。