金博股份携手天科合达，加速拓展第三代半导体领域的开发和应用

天科合达官网简介显示，其于2006年9月由新疆天富集团、中国科学院物理研究所共同设立，目前注册资本为21582万元，是一家专业从事第三代半导体碳化硅（SiC）晶片研发、生产和销售的高新技术企业，为全球SiC晶片的主要生产商之一。天科合达拥有一个研发中心和三家全资子公司，产业涵盖碳化硅单晶炉制造、碳化硅单晶生长原料制备和碳化硅单晶衬底制备。

协议显示，随着第三代半导体行业快速发展，为了加强国内上下游的紧密联系，双方出于长远战略上的考虑，决定共同携手，就高纯热场材料、高纯保温材料、高纯粉体材料在第三代半导体领域的开发和应用，达成深度的战略合作伙伴关系。

具体来看，双方基于在各自材料及应用领域的技术优势，深入开展技术交流与联合研制，共同研发满足第三代半导体领域应用的热场材料、保温材料与粉体材料，以满足天科合达对相关材料的需求。金博股份将按照天科合达提出的技术要求，深入研究开发满足天科合达要求的高性价比高纯热场、高纯保温、高纯粉体材料与产品。

同时，天科合达给予金博股份第三代半导体用高纯热场、保温、粉体材料及产品开发方向、技术要求方面的指导并配合公司进行产品测试与评估，通过应用效果反馈加快公司产品开发与品质改善进度。双方提供新开发相关产品的其他相关技术支持，助力双方在第三代半导体领域相关产品的合作开发。

金博股份表示，目前阶段公司的产品主要应用于光伏行业晶硅制造热场系统。本次战略框架协议的签署，有利于公司产品在第三代半导体领域的推广和应用。