燕东微科创板IPO获受理,募资40亿建成套国产装备的特色工艺12吋生产线

时间:2022-04-14作者:佚名
半导体产业网获悉:近期,北京燕东微电子股份有限公司(以下简称“燕东微”)于科创板申报 IPO 获受理。燕东微本次发行股票数量不超过约1.80亿股,本次发行均为新股,不涉及股东公开发售股份,公开发行股份数量不低于本次发行后已发行股份总数的15%。中信建设证券为保荐机构。
燕东微科创板IPO获受理,募资40亿建成套国产装备的特色工艺12吋生产线
资料显示,成立于1987年的燕东微是一家集芯片设计、晶圆制造和封装测试于一体的半导体企业,主营业务包括产品与方案和制造与服务两类业务。公司产品与方案业务聚焦于设计、生产和销售分立器件及模拟集成电路、特种集成电路及器件;制造与服务业务聚焦于提供半导体开放式晶圆制造与封装测试服务。公司主要市场领域包括消费电子、汽车电子、新能源、电力电子、通讯、智能终端和特种应用等。
燕东微科创板IPO获受理,募资40亿建成套国产装备的特色工艺12吋生产线
据了解,燕东微计划募资40亿元,将分别用于“基于成套国产装备的特色工艺 12 吋集成电路生产线”与“补充流动资金”两个项目。基于成套国产装备的特色工艺12吋集成电路生产线项目实施主体为公司全资子公司燕东科技,投资75亿元,利用现有的净化厂房和已建成的厂务系统和设施,进行局部适应性改造,并购置三百余台套设备,建设以国产装备为主的12英寸晶圆生产线。该产线涉及建筑面积约16,000㎡(其中超净厂房面积9,000㎡),月产能4万片,工艺节点为65nm,产品定位为高密度功率器件、显示驱动IC、电源管理IC、硅光芯片等。在满足上述项目资金需求的同时,燕东微拟利用募集资金100,000.00万元补充流动资金。补充流动资金拟用于研发活动等,满足公司战略发展和对流动资金的需要。
燕东微科创板IPO获受理,募资40亿建成套国产装备的特色工艺12吋生产线
根据招股书显示,2019年-2021年燕东微实现营收分别为10.41亿元、10.30亿元、20.35亿元,同期净利润分别为-1.76亿元、2,481.57万元、5.69亿元。扣非后净利润分别为-1.16亿元、-3,309.04万元、3.85亿元。值得注意的是,燕东微2019年及2020年扣除非经常性损益后归属于母公司所有者的净利润及2019年归属于母公司所有者的净利润为负。此外,报告期内,燕东微研发投入占营业收入比例分别为9.17%、17.94%、7.98%。

报告期各期内,公司主营业务毛利率分别为21.68%、28.66%和40.98%,毛利率逐年提高。公司解释为毛利主要来自于特种集成电路及器件产品,该类产品客户黏性强、毛利率高。
燕东微科创板IPO获受理,募资40亿建成套国产装备的特色工艺12吋生产线
产品与方案业务方面,经过多年积累,公司在多个细分领域布局,形成了系列化产品。公司数字三极管产品门类齐全、精度高,年出货量达20亿只以上;公司拥有从20V-100V的全电压射频工艺制造平台,可制造包括高频三极管、射频VDMOS、射频LDMOS在内的满足不同功率要求的高频器件,年出货量达4,000万只以上。此外,公司拥有二十余年声学传感器领域元器件设计和制造经验,是国内主要的ECM前置放大器出货商,年出货量达20亿只以上,目前最薄产品厚度仅有0.3mm,可以支持客户对减少放大器体积、增大声腔空间的要求;此外,公司浪涌保护器件电容值最低可达0.2pF,广泛用于高速数据传输端口中,年出货量超55亿只,并实现了封装外形系列化;在特种领域,下属公司已在该领域深耕数十年,产品种类多,是国内重要的特种集成电路及器件供应商。
制造与服务业务方面,截至2021年12月,公司拥有6英寸晶圆制造产能超过6万片/月,8英寸晶圆制造产能达5万片/月,均已通过ISO9001、IATF16949等体系认证,具备为客户提供规模化制造服务能力。公司6英寸晶圆生产线已建成平面MOS、平面IGBT、BJT、TVS、JFET、SBD、FRD、模拟IC等工艺平台。公司8英寸晶圆生产线制造能力覆盖90nm及以上工艺节点,已建成沟槽MOSFET、沟槽IGBT、CMOS、BCD、MEMS等工艺平台,正在开发硅基光电子、红外传感器、RF CMOS等工艺平台,是国内重要的晶圆制造基地。公司以8英寸线建设运营为契机,率先实现了成套国产集成电路装备在8英寸生产线上的量产应用验证,为国产集成电路装备的规模化、成套化应用发挥了示范带动作用。
为了更好地满足市场需求,公司已启动基于成套国产装备的特色工艺12英寸集成电路生产线建设,产线工艺节点为65nm,产品包括高密度功率器件、显示驱动IC、电源管理IC、硅光芯片等,该建设项目已完成国家发改委窗口指导和项目备案、环评等相关手续,并已实现部分设备的购置与搬入。此外,公司已建成月产能1,000片的6英寸SiC晶圆生产线,已完成SiC SBD产品工艺平台开发并开始转入小批量试产,正在开发SiC MOSFET工艺平台。

关于未来发展战略,未来三年(2023年-2025年)公司将围绕核心战略,不断强化晶圆制造能力和技术创新能力的提升。1、持续优化产品结构,提升6英寸和8英寸线北京燕东微电子股份有限公司招股说明书(申报稿)1-1-319产能;2、加大SiC等第三代半导体的研发并实现量产;3、完成硅基光电子工艺平台、热成像传感器工艺平台、硅基微显示电路工艺平台的建设并实现量产;4、持续巩固和扩大特种市场占有率;5、加快建设12英寸线,2023年实现12英寸线的量产,2025年实现12英寸线满产。
燕东微表示,公司围绕国家战略需求,按照《北京市“十四五”时期高精尖产业发展规划》,抢抓我国集成电路产业发展的重要战略机遇期,以市场需求为导向,以技术创新、机制创新为动力,自主突破和协同发展相结合,加强产业链上下游协同,提升集成电路产业综合竞争力。公司面向AIoT、汽车电子、5G通信、工业互联网、超高清视频等应用领域,坚持高密度功率器件、显示驱动IC、电源管理IC、硅光芯片四大产品方向,坚持MorethanMoore 特色工艺的技术路线,坚持IDM Foundry的商业模式,进一步提升设计、芯片制造、封测的能力,努力成为卓越的集成电路制造商和系统方案提供商。

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