俄罗斯制定半导体计划 逆向工程年底冲90纳米，2030年达28纳米

根据外媒 《tomshardware》 的报导，俄罗斯因与俄乌战争而受到西方国家的制裁，无法从一般的供应商取得芯片。因此，俄罗斯正在制定计划，以重振其陷入困境的半导体制造。俄罗斯计划，新的芯片计划将关系未来八年的庞大投资，目标是在 2022 年底前开发出 90纳米制程，2030 年底开发出 28纳米制程。

报导指出，俄罗斯政府已经规划了新的微电子发展计划的初步版本，预计到 2030 年需要投资约 3.19 兆卢布（约 384.3 亿美元），而透过这笔资金，以用于开发半导体生产技术、芯片设计、资料中心基础设施开发、以及相关半导体人才培育、加上芯片解决方案的营销等。

其中在半导体生产技术方面，俄罗斯计划花费 4,200 亿卢布 （约 52 亿美元） 用于新的制造技术及其提升。短期目标之一，是在 2022 年底前达成以 90纳米制造技术来提高芯片的产量。另一个更长期的目标，则是到 2030 年建立使用 28纳米节点的制造，相较于台积电，在这个技术节点已经于 2011 年完成。

报导指出，过去俄罗斯在软件和高科技服务方面相当成功。不过，在芯片设计和制造方面则相对落后。虽然，计划中一部分的目标是在培养俄罗斯国内的半导体人才和发展 IC 设计产业。但是，当前计划中最重要的一项目标，就是在 2022 年底前建立一个 「外国解决方案」 的逆向工程计划，将其技术转移到俄罗斯手中。到 2024 年，规划所有数位产品都能在俄罗斯国内生产。

报导强调，虽然俄罗斯的计划包含很多内容，并逐一设定了目标。因为在无法使用美国、英国、或者是欧洲开发的技术下，俄罗斯是否会在 2024 年或 2030 年之前实现其目标，目前还很难说，但这并不意味着没有实现的可能。而针对整个计划，预计将于 2022 年 4 月 22 日确定，然后送交俄罗斯总理正式进行批准。