中科院长春光机所梁静秋团队：红光Micro-LED尺寸越小，性能越稳定

“Micro-LED显示的技术挑战是如何获得高分辨率和高像素密度，”梁静秋介绍，由于像素尺寸缩小，侧壁表面非辐射复合变大，引起光电效率下降。器件制备过程中的ICP刻蚀，加重了侧壁缺陷。

研究团队使用晶圆键合和衬底转移技术，研究了5种像素尺寸的硅衬底AlGaInP红光Micro-LED的尺寸效应。通过采用低损伤刻蚀技术减小LED芯片侧壁缺陷；通过采用散热性能更好的硅衬底代替砷化镓（GaAs）衬底，即改善了LED芯片的散热性，又避免GaAs衬底对红光的吸收。