云南锗业：华为旗下哈勃投资参股的磷化铟单晶片建设项目投产

　　磷化铟是第二代半导体材料。目前，中国的第二代半导体材料主要依赖进口。云南锗业等一批中国企业正在尝试突破。

　　磷化铟扩产项目如期投产

　　资料显示，早在2017年2月，云南锗业董事会就审议通过由云南鑫耀半导体材料有限公司使用3600万元自有资金实施“5万片/年2英寸磷化铟单晶及晶片产业化建设项目”。2019年12月，云南锗业又披露，将用两年时间建设一条年产15万片4英寸磷化铟单晶片生产线。项目总投资为3.24亿元，达产后预计可实现年营业收入3.2亿元，年平均利润总额1.19亿元。

　　国家级专精特新“小巨人”鑫耀公司是云南锗业旗下控股子公司，主要从事砷化镓及磷化铟衬底(单晶片)的研发、生产。2020年10月，鑫耀半导体获得了华为哈勃的战略投资，其持股占比为23.91%。

　　资料显示，截至2021年末，云南锗业砷化镓晶片产能为80万片/年(2—4英寸)；磷化铟晶片产能为10万片/年(2—4英寸)。去年，鑫耀公司砷化镓晶片、磷化铟晶片良品率指标明显提高，产品成本大幅下降，开始向下游客户批量供货。2021年，鑫耀公司营业收入7097.72万元，营业利润1784.66万元。

　　一位不愿具名的半导体材料分析师认为，判断一个磷化铟晶片项目是否成功实现量产，产量是一个重要指标，产品良率也是一个重要指标。鑫耀公司从财务数据看，还是进展不错的。

　　不过，云南锗业也提示，鑫耀公司从建成投产到达产尚需一定过程，亦有可能面临因市场需求环境变化、行业竞争加剧等因素的影响，导致项目产能释放不及预期等风险。

　　第二代半导体获突破