第三代半导体制程良率提升的幕后“推手”——与世界五百强名企来场“面对面
时间：2022-04-27作者：佚名
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随着世界能源的消耗增长，对电力的需求越来越大，从智能手机、电动汽车到工业机器人等一切设备都需要更高效率、更致密的功率半导体器件如二极管、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）、金氧半场效晶体管（MOSFET）和高电子迁移率晶体管（HEMT）等。
宽带隙功率器件使制造更高性能、更可靠的组件成为可能，这些组件可以使功率效率提升并在更高的温度下工作。然而，这些材料可能会引入新的失效模式，使用传统的电性失效分析来确定根本原因会变得更具挑战性，可能会影响操作的可靠性和制备良率。制程良率是半导体企业竞争的重要因素，随着先进的半导体设备的制程向更小、更复杂的方向发展，标准化分析与表征已经不足以支持半导体的研发与制造。与此同时，随着半导体器件结构变得越来越复杂，精确定位器件中的缺陷变得越来越困难，需要更多源的加工技术以及更高效的加工手段，并且结合高分辨的成像和微量分析技术来进行全面分析。
此外，功率半导体器件的电性失效、功率半导体器件的物性失效分析等方面，先进电镜的使用会为提高功率器件质量提供快速和准确的方法，配合可靠的工作流程，除了可以帮助厂商提高效率，同时也可以一定程度节省成，可以说电镜是半导体制程中不可忽略的高质量幕后“推手”。
为了更好的助力半导体企业提高比良率，本期极智课堂特别邀请到电镜领域国际代表性企业赛默飞世尔科技中国的专家，来一场与电镜技术相关的线上面对面对的探讨交流，敬请关注！
【直 播 预 告】
演讲主题：“更快，更深，更全”--高效率双束电镜在半导体量产工业领域的应用
主讲嘉宾：蔡琳玲 （赛默飞世尔科技PFA业务拓展经理）
课程简介：双束电镜是半导体工业领域过程控制以及失效分析的重要手段，它可以实现定点位置的快速加工和高分辨SEM成像，而Xe 离子FIB(PFIB)技术有别于传统的Ga 离子，具有更高的束流，可实现高通量的切割和表征，将数据处理时间缩短至数小时而不是以往所需的数天或数周，同时对于第三代半导体，Xe 离子加工技术还可有效避免Ga 污染。此报告将从FIB-SEM的基本原理和前沿技术出发，重点介绍Helios 5 PFIB在芯片封装、第三代半导体、显示面板等领域的应用优势。
嘉宾简介：蔡琳玲在赛默飞世尔科技担任PFA商务拓展经理，有着10多年电镜技术支持的从业经验，具有坚实的显微镜理论基础以及丰富的实际应用经验，对于电镜产品如何助力于逻辑、存储、化合物半导体、封装以及面板类产品的研发以及良率提升有着持续和深入的研究，对于半导体工业各类样品的的失效分析方法都非常熟悉。基于她丰富的应用经验，她可以为不同行业的客户提供相适应的EFA到PFA的失效解决方案。
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关于赛默飞世尔科技：赛默飞世尔科技在全球商业拥有巨大的影响力，其进入中国发展已近40年，其在中国的总部设于上海，并在北京、广州、香港、成都、沈阳、西安、南京、武汉、济南等地设有分公司，产品主要包括分析仪器、实验室设备、试剂、耗材和软件等，提供实验室综合解决方案，为各行各业的客户服务。
对于半导体制造商和电子行业，其将电气分析解决方案与 SEM、TEM、S/TEM、DualBeam FIB/SEM 以及高级软件套件结合起来， 以最高的成功率和生产率提供根本原因分析。其业界领先的工作流程可以为加速IC设计和生产决策提供快速、准确的解决方案。故障隔离和分析产品提供一流的图像、丰富的功能集、横断面计量和自动化，以加快工艺缺陷识别、减少产量损失和缩短新产品上市时间。
赛默飞世尔科技为电子显微镜和微观分析提供创新的解决方案，通过将高分辨率成像与各种规模和模式的物理、元素、化学和电气分析相结合，通过最广泛的样本类型，让客户完成从问题到获得可用数据的过程。 |
