中泰恒创

时间:2022-04-28作者:佚名
半导体产业网讯:据中能国泰集团消息,近日,中泰恒创科技有限公司(以下简称“中泰恒创”)与中汇环球集团有限公司(以下简称“中汇环球”)就“拓展碳化硅SiC芯片市场”项目举行签约仪式。此次中泰恒创与中汇环球的合作主要聚焦于共同拓展碳化硅SiC芯片市场方向。
中泰恒创*中汇环球联手加码第三代半导体
据了解,中汇环球成立于2000年,是全球领先的智能终端全方位解决方案提供商、国家级高新技术企业,公司的核心领导人邓伟廷博士带领国际博士研发团队,始终坚持“自主创新”的发展理念,力求公司在GPS领域跻身于领先行列。同时,为TCL、海信、联想等企业提供OEM生产制造,其产品远销英国、美国、法国、西班牙、意大利、巴西、波兰等六十多个国家和地区,并在2014年促成汇思太平洋在港交所成功上市,市值达78亿港币。
碳化硅SiC本身具有耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性,突破硅基半导体材料物理限制,是第三代半导体核心材料,其主要应用在5G通信、国防军工、新能源汽车和新能源光伏等领域,有着广阔的发展前景。根据 IHSMarkit 数据,2018 年碳化硅SiC功率器件市场规模约 3.9 亿美元,受新能源汽车庞大需求的驱动,以及电力设备等领域的带动,预计到 2027 年,碳化硅SiC功率器件的市场规模将超过 100 亿美元,碳化硅SiC衬底的市场需求也将大幅增长。
基于以上背景,中泰恒创携手中汇环球,将在技术支持和资金支持两方面为切入点,优化碳化硅SiC产业链三大环节,即碳化硅SiC衬底材料的制备、外延层的生长、器件制造以及下游应用市场。技术层面,中汇环球利用现有产业优势,为碳化硅SiC芯片拓展生产经营。例如,改善碳化硅SiC衬底生产成本较高问题,以解决碳化硅基器件大规模应用的制约;提高碳化硅SiC单晶扩径技术,以实现晶体迭代扩径生长,继而实现后续大尺寸将晶的连续生长。
从现行的产业格局来看,全球碳化硅SiC产业格局呈现美、欧、日三足鼎立态势。其中美国全球独大,占有全球碳化硅SiC产量的 70%~80%;欧洲拥有完整的碳化硅衬底、外延、器件以及应用产业链,在全球电力电子市场拥有强大的话语权;日本是设备和模块开发方面的绝对领先者。
中泰恒创与中汇环球的合作就是要逐步打破这一“屏障”,配合国家近年来出台的一系列半导体产业鼓励政策,推动国内以碳化硅SiC为代表的第三代半导体材料发展。
资金层面,中汇环球为中泰恒创提供100亿美元以上自主融合国际主权财富基金的参与和支持,主要支持中泰恒创在开发生产IGBT、SBD/MOSFET、BMS/PCS等新型产品,以及建立创新创业产业园。
目前,中泰恒创已落地施行的半导体项目可分为三个阶段,第一阶段收益预计100亿元,第二阶段预计580亿元,到第三阶段完成,整体预计可达1500亿元。该项目能够带动上下游产业近万亿元,每年为国家纳税可达300亿元,提供就业机会超过16000个,引进高新技术人才超1500名,解决了西方国家限制半导体产业的局面,已形成中国功率半导体产品基地。
碳化硅SiC 行业本身属于技术密集型产业,对研发人员的操作经验、资金投入有较高要求,中泰恒创在解决该行业人才匮乏、技术水平较低的问题上已有较为成功的案例。
去年至今,中泰恒创已先后在北京、山西太原、福建厦门和漳州、辽宁沈阳等地与当地政府或相关机构建立合作关系。其中,公司在福建两地开设的第三代半导体落地项目,总投资资金量级均高达100亿元,使本地区半导体产业基本形成了涵盖IC设计、制造、封测、装备与材料,以及上下游配套应用在内的全产业链。此外,中泰恒创仅在“海峡两岸功率半导体产业园项目”的总投资资金拟达110亿元,年销售额近160亿元,引进高端人才496位,创造就业岗位2480个。
全球市场研究机构TrendForce集邦咨询近期调查显示,第三类功率半导体产值将从2021年的9.8亿美元,至2025年将成长至47.1亿美元,年复合成长率达48%。其中,碳化硅SiC功率半导体产值有望至2025年成长至33.9亿美元。

中泰恒创与中汇环球此次建立战略合作伙伴关系,在明确各自的权益份额基础上,通过科学统筹中长期战略发展规划,来共同实现技术、资金运营最大效益化。

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