思特威成功开发国产自研高端BSI工艺平台

据思特威官方消息，该BSI高端工艺平台搭载晶圆键合技术，采用直接键合方式降低键合过程中晶圆畸变的产生，大幅提升其键合力，实现高像素性能；同时，为实现更好的BSI光电二极管结构，藉由思特威开发优化的晶圆减薄技术，可在晶圆研磨减薄中最大程度减少硅的损耗，保障超高精度并将硅衬底厚度成功减薄，而且对于850nm与940nm的近红外增强也做了工艺优化，保障了晶圆强度并实现出色的感光性能；此外，该平台还采用了业内前沿工艺材料打造硅表面钝化技术，避免了晶片抛光后对光电二极管的损坏，进一步减少白点与暗电流的产生，提升CIS的暗光成像表现。