南科大陈树明团队：QLED的

论文链接：

https://doi.org/10.1038/s41467-022-28037-w

过去十年见证了量子点发光二极管（QLED）的快速发展，由于其自发光且具有高色彩饱和度、高效率和低成本可加工性的优点，被认为是下一代显示器的理想候选者。典型的QLED包括一个p型聚合物空穴传输层（HTL）、一个QD发射极和一个n型ZnO电子传输层（ETL），它们依次堆叠并夹在透明阳极和金属阴极之间。通过施加电压，电子和空穴可以克服势垒并注入量子点，从而形成电子-空穴对（激子），这些电子-空穴对受其库仑引力约束。激子的辐射复合导致产生能量为hν的光子，其大致等于或略小于量子点的带隙能量（E g）。由于光子是由电子转换而来的，因此，在V的外加电压下，注入电子的能量应等于光子的能量。然而，人们观察到在典型的QLED中，诱导620 nm红色发射的开启电压可以低至1.2V，这远小于2 V的带隙电压，这意味着能量为1.2 eV的电子可以上转换为2.0 eV光子。可以观察到亚带隙开启和上转换EL现象，但其机制尚不清楚，仍在讨论中。