徐州致能半导体氮化镓及其共封装器件研发生产项目预计今年11月投产

据介绍，致能半导体自主研发的氮化镓芯片共封装技术可把氮化镓功率芯片与硅驱动芯片、硅MOS芯片等不同功能的芯片封装在一起，形成氮化镓芯片共封装器件，能有效降低氮化镓芯片与其它芯片之间传统PCB板连接导致的延时较长、寄生电感较大、干扰严重等问题，发挥氮化镓芯片的高频优势。